三星 HBM4E 良率突破 70%，D1d 製程搶在 11 月取得量產認證

三星電子 DS 部門首席技術官兼半導體研究所所長 Song Jai Hyuk 在 6 月 30 日內部說明會上披露兩項進展：HBM4E（高頻寬記憶體第七代產品）的可靠性測試良率已超過 70%；第七代 DRAM 製程 D1d 則計畫在今年 11 月取得生產準備認證（PRA）。業界通常將 80% 以上視為「成熟良率」門檻，三星 HBM4E 目前尚未到位，但在可靠性測試階段就站上 70%，業界將此解讀為開發進程正式進入穩定區間，朝量產條件加速收斂。

Song Jai Hyuk 同時指出，D1d 製程在技術競爭力上已取得對競爭對手的優勢。PRA 是正式量產前最後一道內部驗證，通過後即可切入量產體制。這兩個訊號接在三星今年 2 月率先啟動 HBM4（第六代）量產、5 月 29 日公布 HBM4E 12 層產品規格並對主要客戶送樣之後，構成一條清晰的開發進度脈絡。在產品路線圖上，HBM4 將搭載於輝達（Nvidia）下半年推出的 AI 加速器 Vera Rubin，HBM4E 則對接明年的 Vera Rubin Ultra；D1d 製程的佈局更往後延伸，三星計畫從第八代 HBM5 起全面導入，若 11 月 PRA 如期過關，D1d 將成為 HBM5 後續整條產品線競爭力的製程基礎。

HBM 良率是 AI 加速器出貨時程的隱形節流閥，HBM4E 的良率收斂速度，理論上直接影響 Vera Rubin Ultra 明年的供貨時程，以及三星與競爭對手在輝達訂單中的份額分配。上述良率數字與 D1d 時程均來自三星 CTO 的 DS 部門內部說明會口徑，外部無從獨立核實。同一場說明會上，另一層矛盾也同步浮現：DS 部門研發人員的薪酬不滿情緒正在升溫。三星勞資雙方已就 DS 部門設立以營業利潤 10.5% 為基礎的特別績效獎金制度，但記憶體業務與研究所等公共部門、以及系統 LSI 和晶圓代工之間的獎金落差持續擴大，研發人員呼籲公司更積極認可貢獻。技術衝刺與薪酬矛盾，三星得同步應對。