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三星 HBM4E 良率突破 70%，D1d 製程搶在 11 月取得量產認證

三星電子 DS 部門技術長兼半導體研究所所長 Song Jai Hyuk 在 6 月 30 日內部說明會上披露兩項進展：HBM4E（高頻寬記憶體第七代產品）的可靠性測試良率已超過 70%；第七代 DRAM 製程 D1d 則計畫在今年 11 月取得生產準備認證（PRA）。