SK 海力士急撇清收購 Intel 俄亥俄廠，但赴美設廠「前段製程」已成定局

7 月 22 日，SK 海力士財務長金宇鉉簽署澄清公告，否認推進或決定收購英特爾俄亥俄州晶圓廠及地塊，但同時保留了「持續評估各類投資與收購機會」的措辭，未完全關門。訊息源頭是同日韓國《中央日報》援引匿名知情人士，稱雙方已進入實質談判、內部審查與政府審批程序正在推進，目標是五年內於美國本土生產記憶體晶片。傳聞與闢謠在同一天交鋒，兩者都指向英特爾在俄亥俄州那塊停工未完的大地。

儘管 SK 海力士否認收購英特爾俄亥俄州廠房，但在美國政策施壓與美光、三星的競爭態勢下，記憶體巨頭將生產前段製程移往美國本土已成必然趨勢。

英特爾這座俄亥俄州紐阿爾巴尼市（New Albany）園區 2022 年動工，規劃可容納 8 座晶圓廠，面積約 404 萬平方公尺，全面開發估計耗資約 1000 億美元。英特爾第一期計畫投入約 280 億美元興建 Fab 27 與 Fab 28，原定 2025 年投產，但代工業務拓展不順加上資金吃緊，完工時間已延至 2030 至 2031 年，園區停在鋼結構與混凝土完工後的狀態，成為市場浮想的溫床。這種閒置資產，理論上對任何急需美國本土產能的記憶體廠都有吸引力。但收購傳聞能否成真是一回事，逼著 SK 海力士往美國靠的外部推力，其實來自更公開的場合。

美國商務部長 Howard Lutnick 7 月 10 日出席美光（Micron）紐約工廠活動時點名，要「召喚三星電子和 SK 海力士來美建設生產設施」，半導體業界普遍解讀為本土化要求已從封裝後段延伸至 DRAM 等前段製程。SK 集團會長崔泰源 7 月 15 日在濟州島大韓商工會議所夏季論壇上直說，記憶體晶片價格「異常偏高」，需要擴大供應壓低價格，並明言要在南韓以外「在美國建半導體工廠，正在找地，需要盡快推進」。兩人的公開表態，比任何匿名訊息都更明確地確認了方向。對照現有進度：SK 海力士已在印第安納州投入約 38.7 億美元建設 HBM（高頻寬記憶體）封裝基地，預計 2028 年投產；三星電子在德克薩斯州泰勒市推進約 370 億美元的先進代工廠與研發設施。目前兩家的美國落點仍集中在封裝或代工端，若 DRAM 前段也要本土化，所需的資本規模與供應鏈重組複雜度將遠高於此，直接牽動 AI 伺服器 HBM 與 DRAM 的供給量與成本。英特爾俄亥俄廠的收購傳聞屬匿名訊息且遭官方否認，本文僅依公開表態與已知投資梳理方向，不對交易本身作臆測。