#3D NAND 蝕刻

應用材料推 SiN 沉積與鉬蝕刻雙平台，AI 算力壓力把材料工程逼上製程前線

6 月 15 日，應用材料（Applied Materials）發布兩款面向先進半導體製造的新裝置：Centris™ Spectral™ SiN ALD 與 Producer™ Selectra™ Mo Etch，分別對應三維結構中介電薄膜的精密沉積，以及金屬層的選擇性去除。